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IXTA90N15T IXTH90N15T
IXTP90N15T IXTQ90N15T
TO-263 (IXTA) Outline
TO-247 (IXTH) Outline
1
2
3
? P
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
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Inches
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A
A 1
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4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
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.4
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15.75
5.20
19.81
3.55
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4.32
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2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
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3.65
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5.49
BSC
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
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.209
.102
.098
.055
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.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
TO-220 (IXTP) Outline
Pins: 1 - Gate 2 - Drain 3 - Source
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
TO-3P (IXTQ) Outline
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相关PDF资料
IXTR16P60P MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
IXTR200N10P MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
IXTR20P50P MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
IXTR30N25 MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
IXTR32P60P MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
IXTR36P15P MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
IXTR48P20P MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
IXTR62N15P MOSFET N-CH ISOPLUS-247
相关代理商/技术参数
IXTQ96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ96N25T 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ98N20T 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR120P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR140P10T 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR16P60P 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTR170P10P 功能描述:MOSFET -108.0 Amps -100V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube